RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
55
94
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
1,165.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
94
55
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,882.0
21.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,165.4
11.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
305
2457
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
INTENSO 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link