RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gesamtnote
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
94
Rund um -262% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
1,165.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
94
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,882.0
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,165.4
10.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
305
2740
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link