RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gesamtnote
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
94
Rund um -169% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
1,165.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
94
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,882.0
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,165.4
11.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
305
3141
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link