RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
14
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.0
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
14.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2330
3546
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB RAM-Vergleiche
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link