RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
31
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.0
12.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
9.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2330
2361
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB RAM-Vergleiche
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link