RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
45
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.3
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
14.9
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2556
3149
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB RAM-Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link