RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
41
Rund um -58% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.2
14
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.4
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.0
21.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
16.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2324
3755
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link