RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
46
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
14
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.0
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
12.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2324
2660
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C7 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link