RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
56
Rund um -60% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
1,925.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,315.2
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,925.7
10.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
658
2768
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB RAM-Vergleiche
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link