RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
19
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
52
Rund um -126% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
1,145.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
4200
Rund um 4.05 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,614.5
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,145.9
16.2
Speicherbandbreite, mbps
4200
17000
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
409
4001
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link