RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
66
Rund um -187% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
1,557.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,775.5
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,557.9
12.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
382
2561
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM-Vergleiche
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link