RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
66
Rund um -83% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
1,557.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,775.5
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,557.9
12.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
382
2946
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM-Vergleiche
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link