RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gesamtnote
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
66
Rund um -106% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
1,557.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,775.5
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,557.9
10.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
382
2900
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM-Vergleiche
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link