RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
50
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
10
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
2,061.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
7.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
2159
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link