RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Vergleichen Sie
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Gesamtnote
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
28
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.7
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.6
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
19.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
15.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2272
3717
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM-Vergleiche
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link