RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Vergleichen Sie
AMD R538G1601U2S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Gesamtnote
AMD R538G1601U2S 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R538G1601U2S 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
29
Rund um 34% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
19
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
9.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3189
2407
AMD R538G1601U2S 8GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link