RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Vergleichen Sie
AMD R538G1601U2S 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Gesamtnote
AMD R538G1601U2S 8GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R538G1601U2S 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
25
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.2
18.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.1
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R538G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
19
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
20.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
18.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3189
4046
AMD R538G1601U2S 8GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link