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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Vergleichen Sie
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Gesamtnote
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
39
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
11.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
9.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2634
1881
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M391B5773DH0-YH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
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