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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Vergleichen Sie
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Gesamtnote
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
43
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
7.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2581
2128
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM-Vergleiche
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
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