RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Vergleichen Sie
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Gesamtnote
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
47
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
9.8
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2323
2888
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link