RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB vs Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gesamtnote
ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB
Gesamtnote
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
38
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
38
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
9.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2303
2432
ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB RAM-Vergleiche
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link