RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
33
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.2
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
17.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
3738
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link