RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
33
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
11.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
2637
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link