RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
31
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
13.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
3199
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link