RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
38
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
11.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
2856
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HC5B-AC 2GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link