RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
27
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
15.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
3683
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link