RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
26
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
9.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
2432
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB RAM-Vergleiche
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link