RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
33
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
10.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
3035
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link