RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
48
Rund um 46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
11.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
2466
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link