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ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
30
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Rund um 1.21% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
29
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
8.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
5.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2337
1344
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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