RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
30
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Rund um 1.21% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
29
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
8.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
5.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2337
1344
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB RAM-Vergleiche
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link