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ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Rund um 1.21% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
47
95
Rund um -102% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
4.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
3.1
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
95
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4.2
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.1
5.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
635
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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