RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Vergleichen Sie
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Gesamtnote
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gesamtnote
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
65
Rund um 58% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
65
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.7
8.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
2041
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB RAM-Vergleiche
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link