RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Vergleichen Sie
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Gesamtnote
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gesamtnote
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
37
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.4
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
21.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.7
14.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
3448
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB RAM-Vergleiche
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link