RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Vergleichen Sie
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Gesamtnote
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
30
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.7
14.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
3568
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB RAM-Vergleiche
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link