RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
20
Rund um -11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.9
19.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.0
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
20
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
20.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
17.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3252
3668
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB RAM-Vergleiche
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Ramaxel Technology RMR5030MN68F9F1600 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link