RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
37
Rund um 46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
20
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
9.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
7.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3252
1949
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB RAM-Vergleiche
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link