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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
37
Rund um 54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
17
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
10.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3391
2191
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
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