RAM-Vergleich Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Gesamtnote

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

28 37

Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

13.8 11.4

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

10.1 7.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 10600

Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1683 2179

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns