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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Gesamtnote
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
37
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
11.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1683
2763
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CAS Latency (CL) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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