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Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Vergleichen Sie
Corsair VS1GB800D2 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Gesamtnote
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair VS1GB800D2 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
47
Rund um -81% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.7
1,361.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,680.7
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,361.1
16.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
460
4084
Corsair VS1GB800D2 1GB RAM-Vergleiche
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
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