RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair VS2GB1333D4 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Vergleichen Sie
Corsair VS2GB1333D4 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gesamtnote
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
46
Rund um 46% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair VS2GB1333D4 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
13.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1947
2717
Corsair VS2GB1333D4 2GB RAM-Vergleiche
Corsair VS2GB1333D3 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link