RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
42
Rund um -56% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.6
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.4
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
18.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2326
3826
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link