RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
33
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
11.9
Speicherbandbreite, mbps
17000
21300
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3705
2824
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link