RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
59
Rund um 53% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
59
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
7.6
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3398
1954
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link