RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,378.6
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
62
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,670.6
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,378.6
12.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
861
2660
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link