RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gesamtnote
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
29
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
12.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2251
3086
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link