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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
66
Rund um 59% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
66
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
9.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2251
2038
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
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