RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
29
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
9.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2251
2407
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Mushkin 991586 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link