RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
41
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
12.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2142
2871
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link