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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
27
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
13.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
2735
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
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Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
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